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J-GLOBAL ID：200903099098030389

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
筒井 豊

About 筒井 豊

, 
若林 勝

About 若林 勝


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224479
Publication number (International publication number)：2000058665
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 トランジスタ特性の良好なPNPバイポーラトランジスタと、NPNバイポーラトランジスタとを同一の基板に形成する。【解決手段】 本半導体装置は、P型半導体基板12に実質的に同じ深さに形成されたN型ウェル24とN型ウェル26と、N型ウェル内にN型ウェルをコレクタとして形成されたNPN型バイポーラトランジスタと、N型ウェル26内に形成されたP型ウェル32と、P型ウェル内にP型ウェル32をコレクタとして形成されたPNP型バイポーラトランジスタとを備える。
Claim (excerpt)：
一導電型ベース領域を有する第1のバイポーラトランジスタと第二導電型ベース領域を有する第2のバイポーラトランジスタとを同じ第二導電型シリコン基板に備えた半導体装置を製造する方法であって、不純物領域の形成に際し、一導電型不純物のイオン注入により、第2のバイポーラトランジスタの一導電型コレクタ領域と第1のバイポーラトランジスタの第二導電型コレクタ領域のための一導電型分離領域とを同時に形成する工程と、第二導電型不純物のイオン注入により、第2のバイポーラトランジスタの第二導電型ベース領域と第1のバイポーラトランジスタの仮の第二導電型ベース領域とを同時に形成し、次いで一導電型不純物のイオン注入により、第1のバイポーラトランジスタの仮の第二導電型ベース領域を一導電型ベース領域に転換する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/8228 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (3)：
H01L 27/08 101 C ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72
F-Term (28)：
5F003BA97 ,  5F003BJ03 ,  5F003BJ15 ,  5F003BN01 ,  5F003BP21 ,  5F003BP24 ,  5F003BZ02 ,  5F048AA09 ,  5F048BA01 ,  5F048BC06 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE05 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BH03 ,  5F048BH07 ,  5F048CA01 ,  5F048CA12 ,  5F082AA40 ,  5F082BA04 ,  5F082BA07 ,  5F082BA41 ,  5F082BC04 ,  5F082BC09 ,  5F082EA09 ,  5F082GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-180260
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-226579   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172399   Applicant：松下電器産業株式会社
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