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J-GLOBAL ID：200903099099540895
縦型有機金属気相成長反応炉のサセプタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997093995
Publication number (International publication number)：1998289878
Application date： Apr. 11, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】 多数枚処理可能な高速回転方式の縦型MOCVD炉を用いてシリコン基板上にガリウム砒素を結晶成長する際、オートドープによるノンドープ層の低抵抗化及びプロセス起因の結晶欠陥の発生という2つの問題があり、従来の装置では電子デバイス用エピウェハを作製することが困難であった。【解決手段】 オートドープはサセプタ中央側のシリコン裏面からの気化シリコンの発生が原因であり、プロセス付随の結晶欠陥はサセプタ中央部のコーティング膜からの分解生成物に起因しており、どちらもサセプタ中央部分からの原因物質の飛来・混入の結果生じている。高速回転型縦型炉特有の動径方向のガス流3により原因物質が中央部から周辺部に流れていく配置であるため、中央部分の原因物質を除去することが有効となる。このため本発明では、中央部に毎回洗浄交換可能な防着板2を配しその外周に一周分のみシリコン基板4を配置する構成をとるサセプタ1を用いることにより、オートドープ及び結晶欠陥の両原因物質の発生を排除することが可能となった。
Claim (excerpt)：
複数枚のウェハを処理することが可能な高速基板回転方式の縦型有機金属気相成長反応炉のサセプタにおいて、成長材料が付着しづらく洗浄容易な防着板を中央部に配し、その外周部に沿って円周状に一周分のみシリコン基板を配置するようにしたことを特徴とする縦型有機金属気相成長反応炉のサセプタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/68 N
