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J-GLOBAL ID：200903099102412720

非晶質太陽電池

Inventor： 横田 晃敏 ,  三宮 仁
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123484
Publication number (International publication number)：1993326993
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 積層型非晶質太陽電池において、高RFパワー入力で製膜される微結晶ドープ層の製膜時における下地の非晶質ドープ層のプラズマの損傷を低減する。【構成】 上段の微結晶ドープ層であるn層5と下段の非晶質ドープ層であるp層7との間に透光性導電膜6を設ける。

Claim (excerpt)：

基板上に積層された少なくとも2つのnip接合構造のアモルファスシリコン層を有し、これらのアモルファスシリコン層は透光性導電膜を介して直列接続されていることを特徴とする非晶質太陽電池。