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J-GLOBAL ID：200903099102845880

半導体セラミック

Inventor： 新見 秀明 ,  浦原 良一 ,  坂部 行雄
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997321307
Publication number (International publication number)：1999157925
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 PTC特性の良好なBaTiO3系半導体材料を用い、かつ、室温抵抗をより低くした半導体セラミックを提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を分散させてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

チタン酸バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を分散させてなることを特徴とする半導体セラミック。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  H01C 7/02

FI (2)：

C04B 35/46 N ,  H01C 7/02