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J-GLOBAL ID：200903099127567001

ガリウムを含む層の選択成長法

Inventor： カミー レニー アバーナスィ ,  スチーヴン ジョン ピアートン ,  ファン レン ,  パトリック ウィリアム ウィスク
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318051
Publication number (International publication number)：1993226249
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ガリウムを含む層を選択的に成長させる。【構成】 ガリウムを含む層を、トリ-ジメチルアミノひ素(DMAA)のようなジアルキルアミノひ素族の化合物を、ひ素プリカーサとして用いた分子線プロセスにより成長させる。従来のひ素ソースとは異り、DAAAは炭素”ゲッタ”として働く。DAAAをひ素ソースとして用いた時、DAAAはガリウムソースから炭素不純物を捕獲する。従って、たとえばガリウムソースとしてのTMGと組合せて、ひ素ソースとしてDAAAを用いると、600°C以下の低温で、ガリウムひ素の高純度又はn形層を、選択的に成長させることができる。加えて、DMAAはガリウムひ素材料に対する優れた清浄剤であることが見出された。

Claim (excerpt)：

ガリウムひ素族のIII-V半導体の露出した表面層を含む試料を準備する工程;減圧した雰囲気中で前記試料を加熱する工程及び前記試料を炭素原子を含む気体ガリウムプリカーサと、分解した時、炭素ゲッタとして働く種類のものを含む気体ひ素プリカーサに露出し、前記基板の前記露出した表面層上に、炭素含有量の減少したガリウムを含む材料の層を成長させるようにする工程を含む、試料上へのガリウムを含んだ材料層の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C23C 16/30 ,  C30B 25/14 ,  H01L 29/205