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J-GLOBAL ID：200903099128494970

反射防止膜及びパターンニング方法

Inventor： 斉藤 雅夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997002537
Publication number (International publication number)：1998199789
Application date： Jan. 10, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 レジストに対してエッチング速度が速く、ArFエキシマレーザ光に対して反射防止効果を有する有機材料を提供する。【解決手段】 レジスト膜の下層に設けられる反射防止膜であり、ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体からなる。ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体には、芳香環を有するモノマーが0.1mol%〜10.0mol%の割合で含まれている。パターニングを行う場合には、リソグラフィーによって反射防止膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いて反射防止膜及び下層の基板表面を低温エッチングする。

Claim (excerpt)：

レジスト膜の下層に設けられる反射防止膜であって、ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体からなることを特徴とする反射防止膜。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  C09D129/04 ,  C23F 1/00 102 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/11 503

FI (5)：

H01L 21/30 574 ,  C09D129/04 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G02B 1/10 A