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J-GLOBAL ID：200903099134221250

縦型MOS半導体装置

Inventor： 小池 理麿 ,  夏目 正
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310812
Publication number (International publication number)：1996167714
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パターンの微細化によるオン抵抗の低減を維持しつつ、且つ更に高耐圧化することのできる縦型MOS半導体装置を提供する。【構成】 一導電型のドレイン領域2に規則的に配列された反対導電型のボディ領域6と、ボディ領域6内に配置された一導電型のソース領域5と、ソース領域5とドレイン領域2間にチャネルを形成するゲート電極8とを備えた縦型MOS半導体装置において、チップの周辺部に規則的に配列されたボディ領域6を取り囲むガードリング拡散領域3A,3B,3C,3Dを3本以上備え、3本以上のガードリング拡散領域3A,3B,3C,3Dはセル側の1本目より2本目が深く拡散されて形成され、セル側の2本目より3本目以降が浅く拡散されて形成された。

Claim (excerpt)：

一導電型のドレイン領域に規則的に配列された反対導電型のボディ領域と、該ボディ領域内に配置された一導電型のソース領域と、該ソース領域と前記ドレイン領域間にチャネルを形成するゲート電極とを備えた縦型MOS半導体装置において、チップの周辺部に前記規則的に配列されたボディ領域を取り囲むガードリング拡散領域を3本以上備え、前記3本以上のガードリング拡散領域はセル側の1本目より2本目が深く拡散されて形成され、セル側の2本目より3本目以降が浅く拡散されて形成されたことを特徴とする縦型MOS半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-295460
  
• 特開昭61-198781
  
• 特開平3-273682