インピーダンス変成器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：草野卓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993185863
Publication number (International publication number)：1995046010
Application date： Jul. 28, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路において使用されるインピーダンス変成器の小型化、広帯域化を図り、これら半導体集積回路を高密度化、小型化、高性能化する。【構成】第1の接地導体11上に第1の誘電体膜21を形成し、第1の誘電体膜21上に第1のストリップ状中心導体31を形成した第1の伝送線路を具備し、第2の接地導体12上に第2の誘電体膜22を形成し、第2の誘電体膜22上に第2のストリップ状中心導体32を形成した第2の伝送線路を具備し、第1の伝送線路と第2の伝送線路とを縦続接続したインピーダンス変成器において、第1の誘電体膜と第2の誘電体膜とを厚さを異にし、そして/または第1の伝送線路を構成する誘電体膜と第2の伝送線路を構成する誘電体膜とは誘電率を異にするインピーダンス変成器。

Claim (excerpt)：

第1の接地導体上に第1の誘電体膜を形成し、第1の誘電体膜上に第1のストリップ状中心導体を形成した第1の伝送線路を具備し、第2の接地導体上に第2の誘電体膜を形成し、第2の誘電体膜上に第2のストリップ状中心導体を形成した第2の伝送線路を具備し、第1の伝送線路と第2の伝送線路とを縦続接続したインピーダンス変成器において、第1の誘電体膜と第2の誘電体膜とは厚さを異にするものであることを特徴とするインピーダンス変成器。

IPC (3)：

H01P 5/02 , H01P 1/04 , H01P 3/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭54-039551
特開昭54-101648
特開昭57-024102

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