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J-GLOBAL ID:200903099147229927

改良フォトレジスト

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 千田 稔 ,  辻永 和徳 ,  橋本 幸治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003335851
Publication number (International publication number):2004151691
Application date: Sep. 26, 2003
Publication date: May. 27, 2004
Summary:
【課題】化学線に暴露した時にフリーラジカルを発生させる親水性化合物を有する、及びスカムや残渣の支持体上に沈積する問題を解決するフォトレジスト提供する。【解決手段】化学線への暴露の時にフリーラジカル重合開始剤を発生させる親水性化合物を含むフォトレジスト。この親水性化合物は、フォトレジスト中のバインダーポリマーまたは架橋剤として用いられてもよい。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
化合物と一体化したフリーラジカルを発生させる親水性化合物を含むフォトレジスト。
IPC (4):
G03F7/031 ,  C08F20/20 ,  C08F290/02 ,  G03F7/027
FI (4):
G03F7/031 ,  C08F20/20 ,  C08F290/02 ,  G03F7/027 513
F-Term (37):
2H025AA04 ,  2H025AB13 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025BC67 ,  2H025BC86 ,  2H025BC88 ,  2H025CA00 ,  2H025CA03 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC04 ,  2H025CC05 ,  2H025CC08 ,  2H025CC13 ,  2H025FA17 ,  4J027AA02 ,  4J027BA07 ,  4J027BA08 ,  4J027CD10 ,  4J100AL09R ,  4J100AL63Q ,  4J100AL66P ,  4J100BA03P ,  4J100BA08P ,  4J100BA12P ,  4J100BA15P ,  4J100BA34P ,  4J100BA43P ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • 米国特許第5,952,153号
  • 米国特許第4,537,855号
  • 米国特許第5,939,239号
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