Pat

J-GLOBAL ID：200903099162425619

電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置

Inventor： 井上 隆史 ,  野口 利光 ,  安藤 節夫 ,  渡部 隆好
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125945
Publication number (International publication number)：1995336017
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高密度薄膜多層回路基板の製造プロセスにおいて、パターン化された穴や溝をもつ誘電体表面に対して、金属化処理を施すにあたり、最終的に、その穴や溝の中にだけ隙間なく金属導体を充填し、かつ、従来技術より高い精度で、その導体の表面を均一にして、前記誘電体表面を含む同一表面とする。そして、それにより平坦化されたビアで、垂直配線をすることにより薄膜回路の多層化をより容易にし、歩留まりを高く保ちつつ、実装密度を大幅に向上させる。【構成】 電解システムを有し、薄膜回路基板を一方の電極として、薄膜回路を電解により加工する薄膜回路製造方法において、カソード電析とアノード溶解を交互におこなう電流反転電解法により、前記薄膜回路の誘電体表面に、電気めっきを施し、かつ、不要な金属を電解エッチングまたは電解研磨を施し除去する。

Claim (excerpt)：

電解システムを有し、薄膜回路基板を一方の電極として、薄膜回路を電解により加工する薄膜回路製造方法において、カソード電析とアノード溶解を交互におこなう電流反転電解法により、前記薄膜回路の誘電体表面に、電気めっきを施すことを特徴とする薄膜回路製造方法。

IPC (7)：

H05K 3/07 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/00 ,  C25F 3/00 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46