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J-GLOBAL ID：200903099164236198

量子箱半導体素子

Inventor： 高木 博嗣
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991148016
Publication number (International publication number)：1994120481
Application date： May. 23, 1991
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 量子効果を発揮するのに十分に小さいサイズの量子箱半導体素子を提供する。【構成】 基板3には平坦な絶縁性材料を用い、段差部は基板表面一部をレジストで被覆し露出部をエッチングで形成する。電極4はAu,Al,Cuの金属又は合金を用いて薄膜堆積で形成する。段差部に形成される半導体微結晶1は、Si,Ge、それらを含む合金、I族-VII族、II族-VI族、III族ーV族の化合物半導体である。微結晶サイズは10〜1nmで、半導体微結晶1はそのバンドギャップより広いバンドギャップのギャップ材2で隔てられる。微結晶1間の距離により半導体素子の動作電圧が変化するため、微結晶を制御して均一に分散させる。これで、量子効果を発揮するに十分小サイズの量子箱半導体素子が作製される。

Claim (excerpt)：

個々の結晶が広バンドギャップ物質によって隔てられた半導体微結晶を含む層を段差壁面に堆積したことを特徴とする量子箱半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/68 ,  H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-116822
  
• 特開平1-319985
  
• 特開昭63-029989