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J-GLOBAL ID:200903099168647176
プラズマエッチング用電極板
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994279984
Publication number (International publication number):1996120471
Application date: Oct. 18, 1994
Publication date: May. 14, 1996
Summary:
【要約】【目的】 エッチング消耗が少なく、微細パーティクルの発生がないガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板を提供する。【構成】 波長5145オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を用いたラマンスペクトル分析において、下記 (1)式で定義されるR値が1.0〜2.0の範囲にあり、かつIAの半値幅が30〜90cm-1でIBの半値幅が20〜100cm-1の各範囲にある性状を備えるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板。R=IA/IB ...(1)但し、IAは1360±100cm-1バンド域におけるスペクトル強度、IBは1580±100cm-1バンド域におけるスペクトル強度を示す。
Claim (excerpt):
波長5145オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を用いたラマンスペクトル分析において、下記 (1)式で定義されるR値が1.0〜2.0の範囲にあり、かつIAの半値幅が30〜90cm-1でIBの半値幅が40〜100cm-1の各範囲にある性状を備えるガラス状炭素からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。R=IA/IB ...(1)但し、IAは1360±100cm-1バンド域におけるスペクトル強度、IBは1580±100cm-1バンド域におけるスペルトル強度を示す。
IPC (3):
C23F 4/00
, C01B 31/02 101
, H01L 21/3065
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