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J-GLOBAL ID：200903099175857895

半導体装置の製造方法

Inventor： 江川 満 ,  藤井 卓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995185187
Publication number (International publication number)：1997036487
Application date： Jul. 21, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、butt-joint法によるInAlGaAs系テーパ導波路レーザの製造方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によって、例えば、n-InP基板1の上にn-InPバッファ層2、n-InAlAsクラッド層3、n-InAlGaAs光ガイド層4、InAlGaAs/InAlGaAs多重量子井戸構造5、p-InAlGaAs光ガイド層6、p-InAlAsクラッド層7を成長してレーザ構造を形成した後、レーザ領域とする部分にマスクM1 を形成してエッチングすることによりマスクM1 がないレーザ領域以外の部分のレーザ構造を除去し、その除去した領域のn-InPバッファ層2の上にマスクM1 ,M2 を形成し、n-InPバッファ層2の上にn-InPクラッド層8、InGaAsP光ガイド層9、p-InPクラッド層10を選択成長してテーパ状光導波路を形成する。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法により半導体基板上に III-V族化合物半導体材料からなるレーザ構造を形成した後、成長面内の部分的な領域でレーザ構造を除去し、その除去した領域に選択成長によってテーパ状光導波路を集積することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/13

FI (2)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M