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J-GLOBAL ID：200903099186981423

レジスト

Inventor： 堀口 留美子 ,  早瀬 修二 ,  大西 廉伸 ,  平尾 明子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083079
Publication number (International publication number)：1993181280
Application date： Sep. 26, 1985
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】 下記一般式[1]及び[2]のいずれかで表されるポリシランによりレジストを調製する。【化1】(式中R1 〜R14は水酸基,水素,ビニル基,アルキル基,アルコキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1 〜R5 の少なくとも1つ、及びR6 〜R12の少なくとも1つは水酸基である。)【効果】 感光性を有するとともにドライエッチング耐性に優れ、かつアルカリ現像による微細で高精度なパターン形成が可能なレジストを実現することができる。

Claim (excerpt)：

下記一般式[1]及び[2]のいずれかで表されるポリシランからなることを特徴とするレジスト。【化1】(式中、R1 〜R14は水酸基,水素,ビニル基,アルキル基,アルコキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1 〜R5 の少なくとも1つ、及びR6 〜R12の少なくとも1つは水酸基である。)

IPC (4)：

G03F 7/075 511 ,  C08G 77/60 NUM ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-080844
  
• 特開昭62-036661