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J-GLOBAL ID：200903099187002798

発光素子及びその製造方法

Inventor： 板倉 徹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239141
Publication number (International publication number)：1994090018
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、シリコン基板上に多孔質シリコン層が形成された発光素子に関し、発光効率を向上させた多孔質シリコン層の発光素子を提供することを目的とする。【構成】p形シリコン基板2上部表面に多孔質シリコン層4が形成されている。多孔質シリコン層4上に厚さ2nmの酸化膜である絶縁膜6が形成されている。絶縁膜6上にAlが厚さ9nm堆積された半透明電極8が形成されている。シリコン基板2下部にAl電極10が形成されているように構成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板表面に形成された多孔質シリコン層と、前記多孔質シリコン層上に形成され、前記多孔質シリコン層よりも広いバンドギャップを有する物質層と、前記物質層上に形成された電極と、前記シリコン基板裏面に形成された電極とを有することを特徴とする発光素子。