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J-GLOBAL ID：200903099192168378

発光素子

Inventor： 日野 智公 ,  中山 典一 ,  小沢 正文 ,  中野 一志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253803
Publication number (International publication number)：1995086697
Application date： Sep. 16, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】p型電極が形成された後に300 ゚C前後の熱処理を受けた場合でも、電気的特性が劣化することがない発光素子を提供する。【構成】発光素子は、化合物半導体層18上に形成された多層構造のp型コンタクト層20を有し、このp型コンタクト層20の最上層24は、1.0×102nm乃至1μmの厚さを有するp-ZnTeから成る。

Claim (excerpt)：

化合物半導体層上に形成された多層構造のp型コンタクト層を有し、該p型コンタクト層の最上層は、1.0×102nm乃至1μmの厚さを有するp-ZnTeから成ることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00