Pat

J-GLOBAL ID：200903099195287882

MFI型ゼオライトの製造方法

Inventor： 板橋 慶治 ,  平野 茂
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994327518
Publication number (International publication number)：1996183611
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、原料混合物中にフッ素源が存在し、種晶および有機鉱化剤を添加することなく、pHが10〜12の領域で結晶化させることを特徴とするMFI型ゼオライトの製造方法を提供することである。【構成】モル比で表して、SiO2/Al2O3=15〜50NaOH/SiO2=0〜0.15F/SiO2=0.4〜2H2O/SiO2=10〜70の組成のシリカ源、アルミナ源、フッ素源、水、及び必要に応じて水酸化ナトリウムを加えた混合物を撹拌下で100〜200°Cに加熱し、種晶および有機鉱化剤を用いることなく、pH10〜12の領域で結晶化させることを特徴とするMFI型ゼオライトの製造方法。

Claim (excerpt)：

モル比で表して、SiO2/Al2O3=15〜50NaOH/SiO2=0〜0.15F/SiO2=0.4〜2H2O/SiO2=10〜70の組成のシリカ源、アルミナ源、フッ素源、水、及び必要に応じて水酸化ナトリウムを加えた混合物を撹拌下で100〜200°Cに加熱し、種晶および有機鉱化剤を用いることなく、pH10〜12の領域で結晶化させることを特徴とするMFI型ゼオライトの製造方法。