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J-GLOBAL ID：200903099195581446
露光用マスクとその製造方法及び半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195520
Publication number (International publication number)：1996062826
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 位相差と透過率の許容範囲を明確に定め、この許容範囲内で作成したハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。【構成】 透光性基板上に半透明で且つ透光性基板を透過する光に対して位相差を持つ膜で形成される基準透過率Tの半透明パターンを備えたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、半透明膜パターンの透過率と透光性基板に対する位相差をX,Y軸に定めた平面上に、365nmの露光波長で相対焦点深度90%以上を得ることができる位相差と透過率の範囲を表わし、平面上に表した位相差と透過率の範囲に内接する四角形をその頂点の座標により規定し、半透明膜パターンの位相差と透過率を、頂点の座標によって四角形内の値となるように設定したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に半透明で且つ透光性基板を透過する光に対して位相差を持つ膜で形成される基準透過率Tの半透明パターンを備えた露光用マスクにおいて、前記半透明膜パターンの透過率と透光性基板に対する位相差を各軸に定めた平面上に、露光波長で所定の焦点深度以上を得ることができる位相差と透過率の範囲を表わし、前記平面上に表した位相差と透過率の範囲に内接する多角形をその頂点の座標又は頂点間の関係式により規定し、前記半透明膜パターンの位相差と透過率を、前記頂点の座標又は頂点間の関係式によって前記多角形内の値となるように設定したことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2)：
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