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J-GLOBAL ID：200903099201548618

アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置

Inventor：
パク ビヤング チュー

About パク ビヤング チュー


Applicant, Patent owner：
パク ビヤング チュー

About パク ビヤング チュー


Agent (4)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003575670
Publication number (International publication number)：2005520292
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】高発光輝度、低消費電力および高信頼性を持つアクティブマトリックス型OELDを提供する。【解決手段】従来の2端子を持つ有機発光ダイオードと比較して、より低動作電圧下で高発光輝度を持つ3極性有機電界発光装置がOELDの画素部に電気的に連結している。従って、本発明の思想が有機発光装置を持つ表示装置に適用されれば、低消費電力および高輝度を持つ電気製品を製作できる。
Claim (excerpt)：
3極性有機電界発光装置を持つ画素および前記3極性有機電界発光装置を駆動させる半導体手段を含むアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(OELD)であって、 基板上に形成された前記3極性有機電界発光装置は、画素電極、この画素電極と対向しながら配置された対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に介在された発光層、および前記画素電極と前記対向電極の1つが形成された水準で形成され、前記画素電極または対向電極と離隔する調節電極を含み、前記調節電極は、前記画素電極と前記発光層または前記対向電極と前記発光層との間の相対的な電位差を調節するためのもので、前記画素電極と前記対向電極の重畳部分の外部領域に形成され、 前記半導体手段は、前記3極性有機電界発光装置の上部または下部に位置し、このとき、絶縁層が前記半導体手段と前記3極性有機電界発光装置との間に介在され、前記半導体手段は、外部電源供給を受けた一端と、前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールを通じて前記3極性有機電界発光装置の電極中の1つに連結している他端とにより、3極性有機電界発光装置の電流が制御されることを特徴とするアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(OELD)。
IPC (5)：
H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H05B33/14
FI (8)：
H05B33/26 Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  G09G3/20 612E ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/30 J ,  G09G3/30 K ,  H05B33/14 A
F-Term (26)：
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD24 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA10 ,  5C094AA24 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 発光装置および電気器具
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-153113   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特許第6462469号
  • 特許第6462469号
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