Pat

J-GLOBAL ID：200903099209733589

窒化ホウ素薄膜の作製方法

Inventor： 井上 亨 ,  角野 真也 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097272
Publication number (International publication number)：1993271946
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明はプラズマを用いた化学的気相成長法によって窒化ホウ素を作製する際に、低温合成、及び膜質の向上を目的とするものである。【構成】 ハロゲン(フッ素、塩素)ガス、またはハロゲン(フッ素、塩素、臭素、沃素)化合物を反応ガスとして用いる。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いた化学気相成長法による窒化ホウ素膜を作製するに際し、ホウ素源としてホウ素のハロゲン化合物ガスと、窒素源として窒素のハロゲン化合物ガスとを原料ガスとして用いることを特徴とする窒化ホウ素薄膜の作製方法。

IPC (2)：

C23C 16/38 ,  C23C 16/34