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J-GLOBAL ID：200903099210355806
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993157219
Publication number (International publication number)：1995015041
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体層を面内均一に発光させ、発光素子の発光出力を向上させるとともに、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のVfを低下させ、発光効率を向上させるp-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間にn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて、低く調整されている。
Claim (excerpt)：
n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間にn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて、小さくなるように調整されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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