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J-GLOBAL ID：200903099215487018

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 本川 剛治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007132918
Publication number (International publication number)：2008288437
Application date： May. 18, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】ファラデーシールドによる処理槽壁のダメージの不均一を解消することができ、ダメージの不均一によるパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】プラズマ処理装置であって、プラズマ処理に供される処理槽10と、処理槽10内にプラズマ生成のための誘導電界を印加する誘電コイル31と、誘電コイル31と対向した処理槽部分が誘電体で構成された処理槽壁15と、誘電コイル31と処理槽壁15との間に移動可能に設置され、一部に開口を有するファラデーシールド41と、ファラデーシールド41を移動させる駆動機構とを備えた。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

一部が誘電体で形成された誘電体壁を有し、プラズマ処理に供される処理槽と、 前記誘電体壁に対向配置して設けられ、前記処理槽内にプラズマ生成のための誘導電界を発生させる誘電コイルと、 前記誘電体壁と前記誘電コイルとの間に部分的に開口を有するように設けられ、静電界成分を遮断し電磁界成分を通過させるためのファラデーシールドと、 前記ファラデーシールドを移動させる駆動機構と、 を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  C23C 16/507 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L21/302 101C ,  C23C16/507 ,  H05H1/46 L

F-Term (9)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030KA12 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03