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J-GLOBAL ID：200903099242892900
埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992210751
Publication number (International publication number)：1994037335
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は逆回復電荷量が少なく逆回復時間の短い高速・低損失、しかも高耐圧な埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオードを提供することを目的とする。【構成】 本発明は、特に高抵抗層内にキャリアのライフタイム分布を持たせアノード領域,カソード領域近傍はライフタイムを長く設定して静電誘導効果を顕著に働かせるとともにアノード領域,カソード領域から離隔するに従ってライフタイム分布を徐々に短く設定するかU字もしくはV字形状に設定する特徴を有し、アノード領域,カソード領域の一方もしくは両方の領域に静電誘導効果を利用した埋込み構造もしくは切込み構造の静電誘導短絡構造を設定し、高速化・低損失化,高耐圧化を達成できる埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオードとしての構成を有する。
Claim (excerpt)：
アノード領域と、カソード領域と、アノード領域とカソード領域に挟まれた高抵抗層領域と、及びアノード領域,カソード領域にそれぞれ接触するアノード電極,カソード電極を具備するダイオードにおいて、アノード領域,カソード領域の一方もしくは両方の領域に静電誘導効果を利用した埋込み構造もしくは切込み構造を設定し、前記高抵抗層領域は、その領域内において、少数キャリアのライフタイム分布に前記アノード領域から前記カソード領域に向かう前記高抵抗層の厚さ方向において場所的に変化するライフタイム分布を具備し、ともに、アノード領域及びカソード領域近傍においてライフタイムが長く、アノード領域及びカソード領域から高抵抗層領域内の厚さ方向に離隔するに従ってライフタイムが徐々に短くなり、高抵抗層領域のほぼ中央部付近においてともに最小となるライフタイム分布を具備することを特徴とする埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオード。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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