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J-GLOBAL ID：200903099276446640

半導体レーザ装置

Inventor： 高木 和久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995064603
Publication number (International publication number)：1996264898
Application date： Mar. 23, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザチップに逆電流が流れるのを防止し、信頼性の高い半導体レーザ装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体レーザチップ1と厚み方向にpn接合が形成されたヒートシンク2とを逆極性に並列に接続し、ヒートシンク2が逆電流防止用ダイオードとして機能するよう構成した。このため、回路の寄生インダクタンスLで発生した逆起電力による逆電流は、逆電流防止用ダイオードとして機能するヒートシンク2によりバイパスされ、半導体レーザチップ1に逆方向大電流が流れない。【効果】 逆電流が流れることによる半導体レーザチップの劣化が防げる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザチップ、厚み方向にpn接合を有し、上記半導体レーザチップを載置するヒートシンク、このヒートシンクを保持するブロックまたはステムを備え、上記半導体レーザチップと上記ヒートシンクとを逆極性に並列に接続し、上記ヒートシンクが逆電流防止用ダイオードとして機能するよう構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/096

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/096