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J-GLOBAL ID：200903099292432986

リソグラフィ装置の放射線量決定方法、及び該方法実施用テストマスク及び装置

Inventor： ファン デル ヴェルフ イアン エフェルト ,  ディルクセン ペーター ,  テナー マンフレッド ハヴァイン
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997530746
Publication number (International publication number)：1999509690
Application date： Feb. 10, 1997
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：

【要約】パターンを基板(W)上に、マスクパターン(C)を介して又は介さずに形成する方法及び装置に関する。製造放射(PB)により基板上の放射感応層に形成した新非対称テストマーク(TM)の潜像を装置内に予め存在する又はこれと関連する光学アライメント装置により測定することにより放射線量を精密に且つ高信頼度に測定することができる。

Claim (excerpt)：

基板テーブルに設けられた基板上にパターンを形成する装置内の製造放射線量を測定する方法であって、 放射感応層を有する基板を基板テーブルに設けるステップと、 少なくとも1つの基板テストマークを放射感応層に製造放射により付与するステップと、 基板テストマークを、基板アライメントマークを基準アライメントマークに対しアライメントさせる光学アライメント装置によって検出するステップとを具え、 基板テストマークは、基準アライメントマークの周期に実効的に等しい周期を有するとともに照射ストリップと無照射ストリップの非対称分布を有する周期構造を有し、前記テストマークの検出ステップは、 最初に、基板テストマークを基準アライメントマークに対しアライメントさせるステップと、 次に、製造放射線量に依存する基板テストマークの非対称性を、アライメント装置により基板テストマークのオフセットとして検出するステップとからなる放射線量測定方法において、 基板テストマークは、周期毎に、少なくとも2以上の異なるサブ製造放射線量により形成された少なくとも2つの照射ストリップを有することを特徴とするパターン形成装置内の製造放射線量測定方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/68

FI (4)：

H01L 21/30 525 E ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/68 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭60-238836