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J-GLOBAL ID：200903099293384004

電子ビーム励起プラズマCVDによる炭素系高機能材料薄膜の成膜方法

Inventor： 伴 雅人 ,  龍治 真 ,  森 幸隆 ,  東海 正國
Applicant, Patent owner： 川崎重工業株式会社
Agent (1)： 関 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088964
Publication number (International publication number)：1998265955
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電子ビーム励起プラズマCVDを利用して、高硬度の炭素系高機能材料薄膜、特に、基板との密着性の良い炭素系高機能材料薄膜をより簡単なプロセスを用いたより簡単な生産性の高い装置で成膜する方法を提供する。【解決手段】 電子ビーム励起プラズマCVDにおいて、基板を収容した真空容器に炭素含有原料ガスを導入し、電子ビームを照射して原料ガスからプラズマを生成し、基板に100Vないし200Vの負のバイアス電圧を印加して、基板上に高硬度の炭素系薄膜を成膜する。電子ビームガンにおける電子の加速電圧を50V以上とすることが好ましい。さらに、基板に印加する負のバイアス電圧を、成膜工程の前期に200V以上とし後期に100Vから200V未満とすることにより密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

基板を収容した真空容器に炭素を含有する原料ガスを導入し、電子ビームガンから加速した電子を照射して原料ガスを解離・電離することにより電子ビーム励起プラズマを生成し、基板に100Vないし200Vの負のバイアス電圧を印加して、基板上に高硬度の炭素系薄膜を成膜することを特徴とする炭素系高機能材料薄膜の成膜方法。

IPC (4)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314

FI (4)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 A