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J-GLOBAL ID：200903099298698260

半導体装置

Inventor： 野瀬 勲
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 江原 省吾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993036397
Publication number (International publication number)：1994252205
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 任意の配置パターンで電極部を形成した半導体ペレットと絶縁シートの導電パターンとを電気的接続して高密度化を容易にした半導体装置を提供する。【構成】 透孔18を介して一方の面に形成した導電パターン16と他方の面に形成した導電ランド17とを電気的接続し、他方の面を導電ランドとその近傍を除いてエッチングして部分的に肉薄に形成し、且つ、所定位置に位置確認孔13を設けた絶縁シート11と、上面にある電極パッド19に導電ランド17を重ねて電気的接続すると共に、上面に位置確認孔13を介して導電ランド17と電極パッド19との重ね位置を確認する位置マークMを有する半導体ペレット12とを具備する。

Claim (excerpt)：

透孔を介して一方の面に形成した導電パターンと他方の面に形成した導電ランドとを電気的接続すると共に、他方の面を導電ランドとその近傍を除いてエッチングして部分的に肉薄に形成し、且つ、所定位置に位置確認孔を設けた絶縁シートと、上面にある電極パッドに上記導電ランドを重ねて電気的接続すると共に、上面に上記位置確認孔を介して導電ランドと電極パッドとの重ね位置を確認する位置マークを有する半導体ペレットとを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-011646
  
• 特開昭59-018695
  
• 特開昭63-283147
  

Cited by examiner (3)

• 特開平3-011646
  
• 特開昭59-018695
  
• 特開昭63-283147