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J-GLOBAL ID：200903099303673255

ナノカーボン材料のパターン形成方法、並びに、半導体デバイス及びその製造方法

Inventor：
川上 総一郎

About 川上 総一郎


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004162966
Publication number (International publication number)：2005347378
Application date： Jun. 01, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：
【課題】 ナノカーボン材料を応用した電界効果トランジスタやFEDなどのデバイスの作製のための、ナノカーボン材料のパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上にナノカーボン材料層を形成する工程、前記ナノカーボン材料層の上に、少なくとも、亜鉛、スズ、インジウム、アルミニウム、チタンからなる群から選択される金属からなる第一の金属層の所望パターンを形成する工程、前記第一の金属層のパターンをポジティブパターンとするマスクとして、酸素プラズマを照射してナノカーボン材料層をエッチングする工程、を少なくとも含む工程でナノカーボン材料のパターンを形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ナノカーボン材料層のパターン形成方法において、 基板上にナノカーボン材料層を形成する工程、 前記ナノカーボン材料層の上に、少なくとも、亜鉛、スズ、インジウム、アルミニウム、チタンからなる群から選択される金属からなる第一の金属層の所望パターンを形成する工程、 前記第一の金属層のパターンをポジパターンとするマスクとして、酸素プラズマに曝してナノカーボン材料層をエッチングする工程、 を含むことを特徴とするナノカーボン材料のパターン形成方法。
IPC (6)：
H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786
FI (6)：
H01L21/302 104Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C
F-Term (44)：
5F004BA04 ,  5F004BB14 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08 ,  5F033HH00 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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