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J-GLOBAL ID：200903099325452090

多層基板の製造方法

Inventor： 深井 徹也
Applicant, Patent owner： 双信電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999037243
Publication number (International publication number)：2001036236
Application date： Feb. 16, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】多層基板の製造において、レーザなどによるビアホール形成工程をなくし、かつ、シールド壁の形成および素子の個片分割を容易にする。【解決手段】フォトレジスト膜形成とフォトリソ処理と導体形成及び絶縁層形成を繰り返すことにより、前記導体層と、ビアおよび導体充填された空孔予定部位とを同時的に絶縁層に埋め込み形成し、空孔予定部位を所壁として後工程で溶解したり、シールド壁として樹脂に埋め込む。

Claim (excerpt)：

導体層と絶縁層が交互に積層されビアで層間接続がなされる多層基板の製造方法において、フォトレジスト膜形成とフォトリソ処理と導体形成及び絶縁層形成を繰り返すことにより、前記導体層と、ビアおよび導体充填された空孔予定部位とを同時的に絶縁層に埋め込み形成し、前記空孔予定部位を所定の位置にしてビルドアップを繰り返して空孔予定部を形成することを特徴とする多層基板の製造方法。

FI (3)：

H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Z