Pat

J-GLOBAL ID：200903099333171122

半導体素子基板

Inventor： 石崎 明 ,  須川 成利
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033967
Publication number (International publication number)：1994232406
Application date： Feb. 01, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 導電性基板上に絶縁層を介して半導体素子を形成してなる半導体素子基板において、上記導電性基板の電位を均一に制御して、半導体素子の動作の安定化を図る。【構成】 基板の周縁部に半導体素子側から複数のコンタクトホールを穿って、導電性基板の導通を取り、電位を制御する。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に、絶縁層を介して半導体層を形成してなる半導体素子基板であって、該基板周縁部の複数箇所において、上記半導体層側からコンタクトホールを通じて上記導電性基板の導通を取り出したことを特徴とする半導体素子基板。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/12