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J-GLOBAL ID：200903099341928720

不揮発性メモリセル

Inventor： 大月 哲也 ,  高田 正日出
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995091418
Publication number (International publication number)：1996264728
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】例えばプロセッサ中のレジスタ等の内容を不揮発で記憶するのに適した、省面積な強誘電体不揮発性メモリセルを提供する。【構成】電源投入時には、短絡スイッチ105、106により強誘電体キャパシタ107、108間の電位差を共に零とした後、第3の制御入力5の電位を上昇させることにより、強誘電体キャパシタ107、108に記憶されていたデータを電位差として読みとり、フリップフロップ回路100で増幅する。電源切断時には、第3の制御入力5の電位を下げ、フリップフロップ回路100の電位差を強誘電体キャパシタ107、108に書き込んだ後、短絡スイッチ105、106により強誘電体キャパシタ107、108間の電位差を共に零とする。

Claim (excerpt)：

第1、第2の制御入力により駆動され、相補型の信号を出力する揮発性のメモリ回路と、前記メモリ回路の第1、第2の入出力端子と第3の制御入力との間にそれぞれ接続された第1、第2の強誘電体キャパシタと、前記メモリ回路の前記第1、第2の入出力端子と前記第3の制御入力との間にそれぞれ接続された第1、第2のスイッチ素子と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 441 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/40 101 ,  H01L 29/78 371