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J-GLOBAL ID：200903099342249142

プラズマエッチング方法

Inventor： 南部 英高
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282020
Publication number (International publication number)：1999121438
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、径が0.3以下、特に0.25μm以下であってアスペクト比が高いホールを酸化シリコン膜に容易に形成するプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 酸化シリコン膜上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、フルオロカーボン系ガスを含むエッチングガスを用いて、この開口からプラズマエッチング法により酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法において、エッチング中に前記レジスト膜上に堆積するフルオロカーボン膜の炭素/フッ素比が1.1〜1.8であることを特徴とするプラズマエッチング方法。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン膜上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、フルオロカーボン系ガスを含むエッチングガスを用いて、この開口からプラズマエッチング法により酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法において、エッチング中に前記レジスト膜上に堆積するフルオロカーボン膜の炭素/フッ素比が1.1〜1.8であることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 C