Pat
J-GLOBAL ID：200903099352459935
電子ビームを利用した半導体装置の層間絶縁膜形成方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998106747
Publication number (International publication number)：1999121451
Application date： Apr. 16, 1998
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 CVD法によって形成される層間絶縁膜を電子ビームを使用して安定化させる方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にCVD酸化膜20を形成し、電子ビーム照射装置を使用してCVD酸化膜20を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射し緻密化させる。また、電子ビーム照射段階後に、CVD酸化膜を平坦化する段階をさらに含むことができ、平坦化されたCVD酸化膜は電子ビーム照射装置を使用して所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射される。平坦化されたCVD酸化膜上に第2キャッピング層を形成する。第2キャッピング層が形成された結果物を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射できる。これにより、層間絶縁膜に吸収された水分を効果的に取り除くことができ、後続工程で層間絶縁膜で発生可能な吸湿現象を低温工程によって効果的に防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にCVD酸化膜を形成する段階と、電子ビーム照射装置を使用して前記CVD酸化膜を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射し緻密化させる段階とを含むことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/312
H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
, H01L 21/31 B
, H01L 21/31 C
, H01L 21/312 N
