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J-GLOBAL ID：200903099361284544

ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置

Inventor： 林 主税 ,  森本 秀敏 ,  賀集 誠一郎
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社 ,  アルバック・クライオ株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992214372
Publication number (International publication number)：1994057413
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガス・デポジション法で成膜中、大気を汚染することなくキャリアガスを回収し、回収されたガスの純度と圧力を高めてこれを再度キャリアガスとして使用することが出来るガス・デポジション法でのガス循環法と、それに用いるガス循環装置。【構成】 膜形成室から排出されるキャリアガスを循環系に導入し、所定の純度と圧力にした後、これを微粒子蒸発室或いは微粒子のエアロゾル化室に導入し、微粒子蒸発室或いは微粒子のエアロゾル化室と膜形成室の間をキャリアガスを循環させるガス循環法。膜形成室と微粒子蒸発室或いは微粒子のエアロゾル化室との間に、膜形成室から回収したキャリアガス中の異物を除去する除去装置と、一定圧に加圧する加圧装置を備えるガス循環回路を配設したガス・デポジション装置用のガス循環装置。

Claim (excerpt)：

微粒子を使用するガス・デポジション法であって、膜形成室から排出されるキャリアガスを循環系に導入し、所定の純度に純化と異物の除去を行った後、加圧して微粒子蒸発室もしくは微粒子のエアロゾル化室に導入することを特徴とするガス・デポジション法でのガス循環法。

IPC (2)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/24