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J-GLOBAL ID：200903099366700414

磁気抵抗素子

Inventor： 池田 貴司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999298600
Publication number (International publication number)：2001119082
Application date： Oct. 20, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 下部電極あるいは下部配線等のラフネスが非常に小さいので磁性層の静磁結合力が小さく、所望の磁界範囲内で良好な出力信号を得ることが可能な磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 基板16上に、Cuの組成が20at.%以上90at.%以下のAlCu合金の電気伝導体(下部電極14や下部配線等)を有し、その上に少なくとも第1の強磁性層11、非磁性層12及び第2の強磁性層13が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。AlCu合金のCuの組成は40at.%以上60at.%以下がより好ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に、Cuの組成が20at.%以上90at.%以下であるAlCu合金の電気伝導体を有し、その上に少なくとも第1の強磁性層、非磁性層及び第2の強磁性層が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/32

FI (4)：

H01L 43/08 D ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/32

F-Term (10)：

5D034BA04 ,  5D034BA16 ,  5D034BA21 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16