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J-GLOBAL ID：200903099368149081

半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法

Inventor： 東城 弘 ,  内田 喬
Applicant, Patent owner： 株式会社後藤製作所
Agent (1)： 大塚 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995328006
Publication number (International publication number)：1997148509
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 リードフレームに、アルカリ金属残渣ほとんどなく半導体装置の信頼性悪影響を及ぼさない黒色酸化膜を形成し、封止樹脂との密着性を強化する。【解決手段】 銅系の金属製リードフレーム1の封止樹脂8との接合面に、アルカリ金属残渣が1ng/cm2以下である黒色酸化膜9を形成する。黒色酸化膜9の形成に当り、有機アルカリの10〜15%溶液中で、リードフレーム1を陽極酸化させる表面処理方法を採用する。黒色酸化膜9は微細な羽毛状を成すため、封止樹脂9が膜内に進入して密着性が強固になる。有機アルカリは金属を含まないので、洗浄後に黒色酸化膜9の上に金属が残留することがない。

Claim (excerpt)：

銅系の金属製リードフレームであって、少なくとも封止樹脂との接合面に、アルカリ金属残渣が1ng/cm2以下である黒色酸化膜(CuO)が形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  C25D 11/34 302

FI (3)：

H01L 23/50 H ,  H01L 23/50 V ,  C25D 11/34 302