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J-GLOBAL ID：200903099372022363

集積光スイッチ

Inventor： 神徳 正樹 ,  河野 健治 ,  渡部 直也
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992212549
Publication number (International publication number)：1994059290
Application date： Aug. 10, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低クロストークのスイッチと大規模光スイッチを提供する。【構成】 複数の光スイッチを配置した集積光スイッチにおいて、少なくとも一つ以上の光スイッチから構成される光スイッチ領域の出射端に光しきい値特性を持つ過飽和吸収領域を接続した。また、前記過飽和吸収領域に利得(ゲイン)を持たない程度に電流注入を行った半導体光増幅器もしくは半導体レーザを用いた。また、出射端に飽和特性を有する半導体光増幅器を用いる。また、光スイッチの出力端と過飽和吸収領域の間に半導体光増幅器を用いた。また、前記集積光スイッチを少なくとも2段以上接続して構成した。

Claim (excerpt)：

複数の光スイッチを配置した集積光スイッチにおいて、少なくとも一つ以上の光スイッチから構成される光スイッチ領域の出射端に光しきい値特性を持つ過飽和吸収領域を接続したことを特徴とする集積光スイッチ。

IPC (4)：

G02F 1/313 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/18