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J-GLOBAL ID：200903099385729199

半導体記憶装置

Inventor： 尾崎 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993162286
Publication number (International publication number)：1995066297
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、セル部にコンケーブトランジスタを用いる場合に、工数を増大させることなく、周辺回路部のトランジスタを高速デバイスとして形成することを目的とする。【構成】 本発明では、セル部のトランスファゲートには埋め込み電極型コンケーブトランジスタを形成して、セル部を完全に平坦にし、メモリセルのビット線9Bと同じ配線層で周辺回路のゲート電極9Gを形成したトランジスタを形成し、ビット線に自己整合的にストレージノードコンタクト11を形成する。

Claim (excerpt)：

基板表面に形成されたトレンチにトランスファゲートを形成した埋め込み電極型トランジスタと、このトランジスタの拡散層の一方に接続されたキャパシタとからなるセルを配列してなるメモリセル部と前記メモリセル部を駆動すべくこれに接続された平面形トランジスタを有する周辺回路部とを具備し、前記メモリセル部のビット線が、周辺回路のゲート電極と同一導体層で構成され、前記ビット線に自己整合的にストレージノードコンタクトを形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/10 325 F ,  H01L 27/10 325 R