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J-GLOBAL ID:200903099426052760
透明導電性薄膜積層体及びそのエッチング方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
金田 暢之 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001080820
Publication number (International publication number):2002279835
Application date: Mar. 21, 2001
Publication date: Sep. 27, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 透明導電性薄膜積層体を小さな端面位置ずれ幅でパターニングする。【解決手段】 透明基体(A)10上に、透明高屈折率薄膜層(a)20及び透明金属薄膜層(b)30を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。該不活性ガスが、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの中の少なくとも一つを主成分とすることを特徴とするエッチング方法。上記の方法によってエッチングされた透明導電性薄膜積層体。
Claim (excerpt):
透明基体(A)上に、透明高屈折率薄膜層(a)及び透明金属薄膜層(b)を積層してなる透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリングによってエッチングすることを特徴とする透明導電性薄膜積層体のエッチング方法。
IPC (5):
H01B 13/00 503
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 17/06
, H01B 5/14
FI (5):
H01B 13/00 503 D
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 17/06
, H01B 5/14 A
F-Term (29):
4F100AA17B
, 4F100AA21B
, 4F100AA28B
, 4F100AB01C
, 4F100AB01E
, 4F100AB24C
, 4F100AB25C
, 4F100AB31C
, 4F100AB40C
, 4F100AG00A
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100EH662
, 4F100GB41
, 4F100JM02B
, 4F100JM02C
, 4F100JM02E
, 4F100JN18B
, 4F100JN18D
, 4F100JN28
, 4F100JN30
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB02
, 5G307FC10
, 5G323CA01
Patent cited by the Patent: