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J-GLOBAL ID：200903099429973726

電極基板

Inventor： 片山 幹雄 ,  近藤 直文 ,  迫野 郁夫 ,  片岡 義晴 ,  高浜 学 ,  宮後 誠
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085430
Publication number (International publication number)：1993289091
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電極基板において、電極の低比抵抗化を図る。【構成】 絶縁基板201上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜203上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜204が積層されてなるものである。また、絶縁基板上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜、窒化タンタル膜をこの順に積層されてなることを特徴とするものである。特に、該窒化タンタルからなる下地膜203の膜厚が10〜1000Åであり、該窒化タンタル膜中の窒素濃度が7mol%以上13mol%以下、又は33mol%以上であるとき、特にタンタル膜204の比抵抗が低下し、好ましい。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜が積層されてなることを特徴とする電極基板。

IPC (4)：

G02F 1/1343 ,  H01B 1/02 ,  H01B 1/08 ,  H01B 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-270163