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J-GLOBAL ID：200903099439192706
薄膜多層基板およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189397
Publication number (International publication number)：1994037206
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低コスト的で基板を得ることができるとともに、信頼性の高い導体層を得ることができる薄膜多層基板およびその製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板1上に導体層2を形成する工程と、導体層を形成したセラミックス基板1に、有機物3、4からなり2層以上に構成したフィルムを加圧加熱積層して絶縁層5を形成する工程を実施することにより、セラミックス基板1上に導体層2および絶縁層5が形成されており、この絶縁層5が有機物からなる2層以上の層から薄膜多層基板を構成する。
Claim (excerpt)：
セラミックス基板上に導体層および絶縁層が形成されており、この絶縁層が有機物からなり2層以上に構成されていることを特徴とする薄膜多層基板。
IPC (2)：
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