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J-GLOBAL ID：200903099445444296

堆積膜の製造装置および製造方法

Inventor： 白砂 寿康 ,  村山 仁 ,  岡村 竜次 ,  秋山 和敬 ,  細井 一人 ,  大塚 崇志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188267
Publication number (International publication number)：2000008171
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 11, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性、均一性および使用環境特性を示す光受容部材を形成することが可能なプラズマCVD法による堆積膜の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】減圧可能な反応容器1111内に複数の支持体1112を同一円周上に配置する手段と、該反応容器内に成膜用原料ガスを導入する手段および高周波電力を導入する手段1116を有し、前記高周波電力導入手段は、前記複数の支持体の配置円内における該支持体の長手方向に略平行に配置された第1の電極1116Aと、前記複数の支持体の配置円外における該支持体の長手方向に略平行に配置された複数の第2の電極1116Bとからなり、該複数の第2の電極が、前記支持体で囲まれた放電空間の内外で積層されたことにより堆積膜中に生じる内部応力による歪みを抑制しうる位置に配置されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器内に複数の支持体を同一円周上に配置する手段と、該反応容器内に成膜用原料ガスを導入する手段および高周波電力を導入する手段を有し、該高周波電力によって前記成膜用原料ガスを分解することにより、前記反応容器内に配置される支持体上に膜堆積をおこなう高周波プラズマCVD法による堆積膜の製造装置において、前記高周波電力導入手段は、前記複数の支持体の配置円内における該支持体の長手方向に略平行に配置された第1の電極と、前記複数の支持体の配置円外における該支持体の長手方向に略平行に配置された複数の第2の電極とからなり、該複数の第2の電極が、前記支持体で囲まれた放電空間の内外で積層されたことにより堆積膜中に生じる内部応力による歪みを抑制しうる位置に配置されていることを特徴とする堆積膜の製造装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

F-Term (47)：

2H068EA25 ,  2H068EA30 ,  2H068EA36 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA16 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA05 ,  4K030KA16 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030LA04 ,  4K030LA15 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045CA16 ,  5F045DP25 ,  5F045EE14 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ05 ,  5F045EK06