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J-GLOBAL ID:200903099447698147

エレクトロルミネッセンス素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 重野 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004070851
Publication number (International publication number):2004303724
Application date: Mar. 12, 2004
Publication date: Oct. 28, 2004
Summary:
【課題】エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率を向上させる。【解決手段】陰極1、エレクトロルミネッセンス層2、粒子含有透明電極層3’,低屈折率層及びガラス基板等の透光性の基板5がこの順に積層配置されている。エレクトロルミネッセンス層2からの光は、そのまま、又は陰極1で反射されエレクトロルミネッセンス層2を通って、透明電極層3’側に出射し、その後低屈折率層4及び基板5を通って取り出される。低屈折率層4を設けているので、透明電極層3’側から低屈折率層4に進入した光が基板5の基板面と垂直に近い入射角にて基板5と低屈折率層4との界面に入射するようになり、透明基板5の空気層7側での全反射が減少する。透明電極層3’に粒子を含有させているので、低屈折率層4と粒子含有透明電極層3’との界面での全反射も減少し、光取り出し効率が向上する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
陰極、エレクトロルミネッセンス層、透明電極層及び透光体がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子において、 該透明電極層が該エレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3):
H05B33/28 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14
FI (3):
H05B33/28 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A
F-Term (5):
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BB00 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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