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J-GLOBAL ID：200903099460252093

ダイボンデイング方法及び装置

Inventor： 川島 英顕
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283905
Publication number (International publication number)：1993102208
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 取付部材を加熱してそのマウント部のメッキ面上に半導体チップを圧接して固定する際に、特別な不活性ガス等を用いることなく、メッキ面の酸化を未然に防止できるようにする。【構成】 真空チャンバー11内における真空状態の中で、リードフレーム3を加熱ステージ13によって加熱し、その加熱されたリードフレーム3のメッキ面上に圧接ツール14によって半導体チップ1の裏面を圧接して固定する。メッキ面が酸化されることはなく、半導体チップ1がリードフレーム3に極めて確実に固定される。

Claim (excerpt)：

半導体チップを取付部材のマウント部に固定するダイボンディング方法において、前記マウント部にメッキ面が形成された取付部材を用い、真空状態の中で、前記取付部材を所定温度に加熱し、その加熱された取付部材の前記メッキ面上に前記半導体チップを圧接して固定することを特徴とするダイボンディング方法。