フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143381
Publication number (International publication number)：1996339950
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】所望のフォトレジストパターンを良好な形状で得ることができるフォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置を提供する。【構成】パターン形成材1上にフォトレジストを形成して露光現像することによりフォトレジストパターンを形成する際、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理または酸素プラズマ処理する。

Claim (excerpt)：

パターン形成材上にフォトレジストを形成して露光現像することによりフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成方法において、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理することを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 501

FI (2)：

H01L 21/30 563 , G03F 7/38 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-043914 Applicant：富士通株式会社
半導体基板の処理方法及び半導体装置の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-093664 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-128715

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