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J-GLOBAL ID：200903099465174082

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 堂前 伸一 ,  上田 哲也 ,  青井 信雄 ,  関口 満
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998345262
Publication number (International publication number)：2000174121
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 銅配線の低抵抗化を図るとともに層間膜中への銅の拡散を防止する。【解決手段】 BCBで構成される層間絶縁膜11を堆積し、この層間絶縁膜11に配線溝12を形成し、イオン化金属プラズマを用いたスパッタ法でCuイオン13を打ち込み、層間絶縁膜11表面に膜厚10nmの下層Cu膜14を形成する。このとき、層間絶縁膜11を構成するBCB表面にCuが打ち込まれ、BCBと下層Cu膜14の密着性を高められる。次に、CVD法によってCu膜15を堆積して配線溝12を埋め込み、研磨により配線溝12外部のCu膜15および下層Cu膜14を除去してCu配線16を得る。CVD法によって形成するCu膜15の下層にスパッタ法により下層Cu膜14を形成することで、BCBからなる層間絶縁膜11中への銅の拡散を防止できる。配線溝12内全てが低抵抗金属のCu膜からなるため低抵抗なCu配線16となる。

Claim (excerpt)：

ベンゾシクロブテンで構成される層間膜に形成した配線溝と、前記配線溝の表面に形成した有機物を含まない低抵抗の金属膜と、前記配線溝を埋めるように前記低抵抗の金属膜上に形成された有機物を含む銅からなる配線とを備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/88 K

F-Term (39)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F058AA08 ,  5F058AC10 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AG06 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02