Pat

J-GLOBAL ID：200903099476828610

酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板及び光起電力素子

Inventor： 荒尾 浩三 ,  中川 克己 ,  岩▲崎▼ 由希子 ,  近藤 隆治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045670
Publication number (International publication number)：1998195693
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Jul. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れた形成方法を提供する。特に、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】 少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C25D 9/08 ,  C23C 28/00 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C25D 9/08 ,  C23C 28/00 B ,  H01L 31/04 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 酸化亜鉛膜作製用電解液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-023775   Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
• 酸化亜鉛膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067394   Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
• 特許第3368176号
  
• 特許第3327811号