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J-GLOBAL ID：200903099482437364

半導体レーザ装置

Inventor： 大石 敏之 ,  大村 悦司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992069693
Publication number (International publication number)：1993226786
Application date： Feb. 17, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レーザ駆動電流の変化によるレーザアレイチップの温度変化を精度よく検出し制御して、レーザ特性を変動させる熱的クロストークを低減する。【構成】 レーザアレイチップ1の下方のメッキ層1aとチップキャリア5との間にサーミスタ40を設け、レーザアレイチップ1の温度変化を検出する。

Claim (excerpt)：

チップ基板表面に複数の発振領域を形成してなるレーザアレイチップと、該レーザアレイチップを冷却する冷却素子と、上記チップ基板裏面側に密着して配置され、上記レーザアレイチップの温度を検出する温度検出部とを備え、上記レーザアレイチップの温度が一定となるよう上記冷却素子を駆動制御するようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/043

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-265886
  
• 特開昭60-015987