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J-GLOBAL ID：200903099497037281

異方性超伝導素子とその作製方法及びこれを用いたフラクソンデバイス

Inventor： 赤穂 博司 ,  佐藤 弘
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993208989
Publication number (International publication number)：1995045874
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 異方的なジョゼフソン特性を示す接合型超伝導素子を提供する。【構成】 下部超伝導膜12と上部超伝導膜14との間にバリア膜13を挟んだ接合型超伝導素子10を作製する。これら下部超伝導膜12、バリア膜13、上部超伝導膜14は、共に (103)結晶背向でc軸が接合面に対し同方向に45度の傾斜を成すようにする。

Claim (excerpt)：

下部超伝導膜と上部超伝導膜とによりバリア膜を挟んだ接合型の超伝導素子であって;上記下部超伝導膜と上部超伝導膜は、共に (103)結晶配向でc軸が上記接合の接合面に対し互いに同方向に45度の傾きを持つYBaCuO膜であり;上記バリア膜は半導体的特性を持ち、(103)結晶配向でc軸が上記接合面に対し上記同方向に45度の傾きを持つ PrBaCuO膜であること;を特徴とする異方性超伝導素子。

IPC (6)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/24 ZAA