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J-GLOBAL ID：200903099502693303

厚膜パターン形成方法及び該方法による厚膜パターン

Inventor： 浅野 雅朗 ,  泉田 和夫
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 土井 育郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078666
Publication number (International publication number)：1997268378
Application date： Apr. 01, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 超微粒子をノズルからガスと共に高速で噴射して被膜形成基板に超微粒子の圧粉体膜を形成するに際し、スキャニング性をなくし、膜の形成時間の短縮を図れるようにする。【解決手段】 形成すべきパターンに対応した開口部15aを有するマスク15を基板14上に設け、このマスク15の上から超微粒子21をガス22と共に少なくとも開口部15aを覆うようにして噴射した後、マスク15を基板14から剥離することにより、マスク15の開口部15aに対応したパターンで厚膜粉体膜の厚膜パターンを基板14上に形成する。マスク15を介して噴射するのでスキャニングすることなくパターンが形成できる。

Claim (excerpt)：

超微粒子をノズルからガスと共に高速で噴射して基板上に前記超微粒子の粉体膜の厚膜パターンを形成するに際して、形成すべきパターンに対応した開口部を有するマスクを前記基板上に設け、このマスクの上から前記超微粒子をガスと共に少なくとも前記開口部を覆うようにして噴射した後、前記マスクを基板から剥離することにより、前記マスクの開口部に対応したパターンで粉体膜の厚膜パターンを基板上に形成することを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (3)：

C23C 24/04 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/04

FI (3)：

C23C 24/04 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/04 A